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深圳市微碧半導體有限公司VBsemi 第三代 SiC MOSFET

發布日期：2025-8-15 17:29:22　瀏覽次數：

VBsemi 第三代 SiC MOSFET 發布：21mΩ 超低阻抗重新定義快充效率》

微碧半導體針對電動汽車直流快充、儲能系統（ESS）及雙向充電（V2G）等關鍵領域，推出多款基于第三代 SiC 技術的 MOSFET 產品。其憑借超低導通電阻、高開關效率及卓越的散熱性能，可完美替代傳統硅基方案。

《華強電子網年度評選：微碧半導體 MOSFET 成國產芯片標桿品牌》

微碧半導體自主研發的超結 MOSFET（SJ-MOS）系列產品，憑借超高功率密度和卓越開關特性，打破國外技術壟斷。其產品通過華為、比亞迪、格力等頭部企業認證，MOSFET 產品在新能源汽車三電系統領域市占率持續提升，成為國產替代重要力量，且其近年保持年均超 50% 的增長速度等內容。

《突破功率密度極限！DFN8 (5x6) 200V SGT MOSFET VBGQA1202N》

微碧半導體革命性新品 VBGQA1202N，其是一款采用先進 SGT 技術的 200V 高功率 SGT MOSFET。其最大突破是將 200V/50A 高功率能力濃縮在 5x6mm 的 DFN8 封裝中，借助創新三維封裝技術及獨特散熱通道設計，使結到環境熱阻降低 40%，可助力解決 AI 硬件設計功率密度受限等行業難題。

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